Unusual properties of metastable (Ga,In)(N,As) containing semiconductor structures / P. J., Klar; H., Gruning; L., Chen; T., Hartmann; D., Golde; M., Gungerich; W., Heimbrodt; J., Koch; K., Volz; B., Kunert; T., Torunski; W., Stolz; Polimeni, Antonio; Capizzi, Mario; Gh, Dumitras; L., Geelhaar; H., Riechert. - In: IEE PROCEEDINGS. OPTOELECTRONICS. - ISSN 1350-2433. - STAMPA. - 150:1(2003), pp. 28-35. [10.1049/ip-opt:20030032]

Unusual properties of metastable (Ga,In)(N,As) containing semiconductor structures

POLIMENI, Antonio;CAPIZZI, Mario;
2003

2003
01 Pubblicazione su rivista::01a Articolo in rivista
Unusual properties of metastable (Ga,In)(N,As) containing semiconductor structures / P. J., Klar; H., Gruning; L., Chen; T., Hartmann; D., Golde; M., Gungerich; W., Heimbrodt; J., Koch; K., Volz; B., Kunert; T., Torunski; W., Stolz; Polimeni, Antonio; Capizzi, Mario; Gh, Dumitras; L., Geelhaar; H., Riechert. - In: IEE PROCEEDINGS. OPTOELECTRONICS. - ISSN 1350-2433. - STAMPA. - 150:1(2003), pp. 28-35. [10.1049/ip-opt:20030032]
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