We report the observation in a III-V semiconductor quantum-well structure, of free excitons with wave function mainly confined inside the barrier material GaAs. The confined-exciton energy falls between the fundamental level of the bulk three-dimensional exciton and its continuum of states. The confinement-energy values, obtained by an ad hoc designed luminescence self-absorption spectroscopy method, are consistent with the barrier parameters.

EXCITON CONFINEMENT IN GAAS QUANTUM BARRIERS / F., Martelli; Capizzi, Mario; Frova, Andrea; Polimeni, Antonio; F., Sarto; M. R., Bruni; M. G., Simeone. - In: PHYSICAL REVIEW. B, CONDENSED MATTER. - ISSN 0163-1829. - STAMPA. - 48:3(1993), pp. 1643-1646. [10.1103/physrevb.48.1643]

EXCITON CONFINEMENT IN GAAS QUANTUM BARRIERS

CAPIZZI, Mario;FROVA, Andrea;POLIMENI, Antonio;
1993

Abstract

We report the observation in a III-V semiconductor quantum-well structure, of free excitons with wave function mainly confined inside the barrier material GaAs. The confined-exciton energy falls between the fundamental level of the bulk three-dimensional exciton and its continuum of states. The confinement-energy values, obtained by an ad hoc designed luminescence self-absorption spectroscopy method, are consistent with the barrier parameters.
1993
01 Pubblicazione su rivista::01a Articolo in rivista
EXCITON CONFINEMENT IN GAAS QUANTUM BARRIERS / F., Martelli; Capizzi, Mario; Frova, Andrea; Polimeni, Antonio; F., Sarto; M. R., Bruni; M. G., Simeone. - In: PHYSICAL REVIEW. B, CONDENSED MATTER. - ISSN 0163-1829. - STAMPA. - 48:3(1993), pp. 1643-1646. [10.1103/physrevb.48.1643]
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