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Interaction between conduction band edge and nitrogen states probed by carrier effective mass measurements in GaAs1-xNx 1-gen-2006 Masia, Francesco; Pettinari, Giorgio; Polimeni, Antonio; Felici, Marco; Miriametro, Antonio; Capizzi, Mario; Lindsay, A.; Healy, S. B.; O’Reilly, E. P.; Cristofoli, A.; Bais, G.; Piccin, M.; Rubini, S.; Martelli, F.; Franciosi, A.; Klar, P. J.; Volz, K.; Stolz, W.
Influence of N-cluster states on the gyromagnetic factor of electrons in GaAs1-xNx 1-gen-2006 Pettinari, Giorgio; Masia, Francesco; Polimeni, Antonio; Felici, Marco; Frova, Andrea; Capizzi, Mario; A., Lindsay; E. P., O'Reilly; P. J., Klar; W., Stolz; G., Bais; M., Piccin; S., Rubini; F., Martelli; A., Franciosi
Electron mass in dilute nitrides and its anomalous dependence on hydrostatic pressure 1-gen-2007 Pettinari, Giorgio; Polimeni, Antonio; Masia, Francesco; Trotta, Rinaldo; Felici, Marco; Capizzi, Mario; T., Niebling; W., Stolz; P. J., Klar
Behavior of hydrogen in InN investigated in real time exploiting spectroscopic ellipsometry 1-gen-2007 Maria, Losurdo; MARIA M., Giangregorio; Giovanni, Bruno; TONG HO, Kim; Soojeong, Choi; APRIL S., Brown; Pettinari, Giorgio; Capizzi, Mario; Polimeni, Antonio
Photoluminescence under magnetic field and hydrostatic pressure in GaAs1−xNx for probing the compositional dependence of carrier effective mass and gyromagnetic ratio 1-gen-2007 F., Masia; Pettinari, Giorgio; Polimeni, Antonio; Felici, Marco; Trotta, Rinaldo; Capizzi, Mario; T., Niebling; H., Guenther; P. J., Klar; W., Stolz; A., Lindsay; E. P., O'Reilly; M., Piccin; G., Bais; S., Rubini; F., Martelli; A., Franciosi
In-Plane Band Gap Engineering by Hydrogenation of Dilute Nitride Semiconductors 1-gen-2007 FELICI, Marco; POLIMENI, Antonio; F., MASIA; TROTTA, RINALDO; PETTINARI, GIORGIO; CAPIZZI, Mario; G., SALVIATI; L., LAZZARINI; N., ARMANI; M., PICCIN; G., BAIS; F., MARTELLI; S., RUBINI; A., FRANCIOSI; L., MARIUCCI
Role of strain and properties of N clusters at the onset of the alloy limit in GaAs1-xNx 1-gen-2008 Polimeni, Antonio; Masia, Francesco; Pettinari, Giorgio; Trotta, Rinaldo; Felici, Marco; Capizzi, Mario; A., Lindsay; E. P., O'Reilly; T., Niebling; W., Stolz; P. J., Klar
Compositional dependence of the exciton reduced mass in GaAs1-xBix (x=0-10%) 1-gen-2010 Pettinari, Giorgio; Polimeni, Antonio; J. H., Blokland; Trotta, Rinaldo; P. C. M., Christianen; Capizzi, Mario; J. C., Maan; X., Lu; E. C., Young; T., Tiedje
Compositional evolution of Bi-induced acceptor states in GaAs1-xBix alloy 1-gen-2011 Pettinari, Giorgio; H., Engelkamp; P. C. M., Christianen; J. C., Maan; Polimeni, Antonio; Capizzi, Mario; X., Lu; T., Tiedje
Fabrication of Site-Controlled Quantum Dots by Spatially Selective Incorporation of Hydrogen in Ga(AsN)/GaAs Heterostructures 1-gen-2011 Trotta, Rinaldo; Polimeni, Antonio; Faustino, Martelli; Pettinari, Giorgio; Capizzi, Mario; Laura, Felisari; Silvia, Rubini; Marco, Francardi; Annamaria, Gerardino; Peter C. M., Christianen; Jan C., Maan
Photoluminescence: A Tool for Investigating Optical, Electronic, and Structural Properties of Semiconductors 1-gen-2012 Pettinari, Giorgio; Polimeni, Antonio; Capizzi, Mario
Bi-induced p-type conductivity in nominally undoped Ga(AsBi) 1-gen-2012 Pettinari, Giorgio; A., Patane; Polimeni, Antonio; Capizzi, Mario; Xianfeng, Lu; T., Tiedje
Band-gap profiling by laser writing of hydrogen-containing III-N-Vs 1-gen-2012 N., Balakrishnan; Pettinari, Giorgio; O., Makarovsky; L., Turyanska; M. W., Fay; DE LUCA, Marta; Polimeni, Antonio; Capizzi, Mario; F., Martelli; S., Rubini; A., Patane
Identification of four-hydrogen complexes in In-rich (InGa)N (x>0.4) alloys using photoluminescence, x-ray absorption, and density functional theory 1-gen-2012 DE LUCA, Marta; Pettinari, Giorgio; G., Ciatto; L., Amidani; F., Filippone; Polimeni, Antonio; E., Fonda; F., Boscherini; A., Amore Bonapasta; D., Giubertoni; A., Knuebel; V., Lebedev; Capizzi, Mario
Effects of hydrogen on the electronic properties of Ga(AsBi) alloys 1-gen-2012 Pettinari, Giorgio; A., Patane; Polimeni, Antonio; Capizzi, Mario; Xianfeng, Lu; T., Tiedje
A micrometer-size movable light emitting area in a resonant tunneling light emitting diode 1-gen-2013 Pettinari, Giorgio; N., Balakrishnan; O., Makarovsky; R. P., Campion; Polimeni, Antonio; Capizzi, Mario; A., Patane
Effects of Bi incorporation on the electronic properties of GaAs: Carrier masses, hole mobility, and Bi-induced acceptor states 1-gen-2013 Pettinari, Giorgio; Polimeni, Antonio; Capizzi, Mario; Hans, Engelkamp; Peter C. M., Christianen; Jan C., Maan; Amalia, Patane; Thomas, Tiedje
Nonresonant hydrogen dopants in In(AsN): A route to high electron concentrations and mobilities 1-gen-2013 N. V., Kozlova; Pettinari, Giorgio; O., Makarovsky; N., Mori; Polimeni, Antonio; Capizzi, Mario; Q. D., Zhuang; A., Krier; A., Patane
Tuning of the optical properties of In-rich In[sub x]Ga[sub 1−x]N (x=0.82−0.49) alloys by light-ion irradiation at low energy 1-gen-2013 DE LUCA, Marta; Pettinari, Giorgio; Polimeni, Antonio; Capizzi, Mario; Gianluca, Ciatto; Lucia, Amidani; Emiliano, Fonda; Federico, Boscherini; Francesco, Filippone; Aldo Amore, Bonapasta; Knübel, Andreas; Cimalla, Volker; Ambacher, Oliver; Aldo Amore, Bonapasta; Andreas, Knubel; Volker, Cimalla; Oliver, Ambacher; Damiano, Giubertoni; Massimo, Bersani
Effects of hydrogen irradiation on the optical and electronic properties of site-controlled InGaAsN V-groove quantum wires 1-gen-2013 Felici, Marco; Polimeni, Antonio; Giovanna, Lavenuta; Elena, Tartaglini; DE LUCA, Marta; Capizzi, Mario; Andrea, Notargiacomo; Romain, Carron; Dan, Fekete; Pascal, Gallo; Benjamin, Dwir; Alok, Rudra; Eli, Kapon; Pettinari, Giorgio; Peter C. m., Christianen; Jan C., Maan
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