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Compositional disorder in GaAs1–xNx:H investigated by photoluminescence
2006 Felici, Marco; Trotta, Rinaldo; Masia, Francesco; Polimeni, Antonio; Miriametro, Antonio; Capizzi, Mario; P. J., Klar; W., Stolz
Investigation of Compositional Disorder in GaAsN:H
2007 Felici, Marco; Trotta, R.; Masia, F.; Polimeni, Antonio; Miriametro, A.; Capizzi, M.; Klar, P. J.; Stolz, W.
Hydrogen-Induced Nitrogen Passivation in Dilute Nitrides: A Novel Approach to Defect Engineering
2007 Trotta, R.; Polimeni, Antonio; Felici, Marco; Pettinari, G.; Capizzi, M.; Frova, A.; Salviati, G.; Lazzarini, L.; Armani, N.; Mariucci, AND L.
Electron mass in dilute nitrides and its anomalous dependence on hydrostatic pressure
2007 Pettinari, Giorgio; Polimeni, Antonio; Masia, Francesco; Trotta, Rinaldo; Felici, Marco; Capizzi, Mario; T., Niebling; W., Stolz; P. J., Klar
Photoreflectance and reflectance investigation of deuterium-irradiated GaAsN
2007 M., Geddo; T., Ciabattoni; G., Guizzetti; M., Galli; M., Patrini; Polimeni, Antonio; Trotta, Rinaldo; Capizzi, Mario; G., Bais; M., Piccin; S., Rubini; F., Martelli; A., Franciosi
In-Plane Band Gap Engineering by Hydrogenation of Dilute Nitride Semiconductors
2007 FELICI, Marco; POLIMENI, Antonio; F., MASIA; TROTTA, RINALDO; PETTINARI, GIORGIO; CAPIZZI, Mario; G., SALVIATI; L., LAZZARINI; N., ARMANI; M., PICCIN; G., BAIS; F., MARTELLI; S., RUBINI; A., FRANCIOSI; L., MARIUCCI
Photoluminescence under magnetic field and hydrostatic pressure in GaAs1−xNx for probing the compositional dependence of carrier effective mass and gyromagnetic ratio
2007 F., Masia; Pettinari, Giorgio; Polimeni, Antonio; Felici, Marco; Trotta, Rinaldo; Capizzi, Mario; T., Niebling; H., Guenther; P. J., Klar; W., Stolz; A., Lindsay; E. P., O'Reilly; M., Piccin; G., Bais; S., Rubini; F., Martelli; A., Franciosi
Effect of hydrogen incorporation temperature in in plane-engineered GaAsN/GaAsN:H heterostructures
2008 Trotta, Rinaldo; Polimeni, Antonio; Capizzi, Mario; D., Giubertoni; M., Bersani; G., Bisognin; M., Berti; S., Rubini; F., Martelli; L., Mariucci; M., Francardi; A., Gerardino
Photoluminescence under magnetic field and hydrostatic pressure for probing the electronic properties of GaAsN
2008 Polimeni, Antonio; G., Pettinari; Trotta, Rinaldo; F., Masia; Felici, Marco; Capizzi, Mario; A., Lindsay; E. P., Oreilly; T., Niebling; W., Stolz; P. J., Klar; F., Martelli; S., Rubini
Role of strain and properties of N clusters at the onset of the alloy limit in GaAs1-xNx
2008 Polimeni, Antonio; Masia, Francesco; Pettinari, Giorgio; Trotta, Rinaldo; Felici, Marco; Capizzi, Mario; A., Lindsay; E. P., O'Reilly; T., Niebling; W., Stolz; P. J., Klar
In-plane band gap modulation investigated by secondary electron imaging of GaAsN/GaAsN:H heterostructures
2008 L., Felisari; V., Grillo; F., Martelli; Trotta, Rinaldo; Polimeni, Antonio; Capizzi, Mario; F., Jabeen; L., Mariucci
Hydrogen diffusion in GaAs1−xNx
2009 Trotta, R.; Giubertoni, D.; Polimeni, Antonio; Bersani, M.; Capizzi, Mario; Martelli, F.; Rubini, S.; Bisognin, G.; Berti, AND M.
Light polarization control in strain-engineered GaAsN/GaAsN:H heterostructures
2009 Trotta, R.; Polimeni, Antonio; Capizzi, Mario; Martelli, F.; Rubini, S.; Francardi, M.; Gerardino, A.; Mariucci, AND L.
Hydrogen-induced defect engineering in dilute nitride semiconductors
2009 Trotta, Rinaldo; Polimeni, Antonio; Capizzi, Mario
Compositional dependence of the exciton reduced mass in GaAs1-xBix (x=0-10%)
2010 Pettinari, Giorgio; Polimeni, Antonio; J. H., Blokland; Trotta, Rinaldo; P. C. M., Christianen; Capizzi, Mario; J. C., Maan; X., Lu; E. C., Young; T., Tiedje
Quantum confinement effects in hydrogen-intercalated GaAs1-xNx/GaAsN:H heterostructures investigated by photoluminescence spectroscopy
2010 Trotta, Rinaldo; L., Cavigli; L., Felisari; Polimeni, Antonio; A., Vinattieri; M., Gurioli; Capizzi, Mario; F., Martelli; S., Rubini; L., Mariucci; M., Francardi; A., Gerardino
Detailed structure of the H-N-H center in GaAsyN1-y revealed by vibrational spectroscopy under uniaxial stress
2010 L., Wen; F., Bekisli; M., Stavola; W. B., Fowler; Trotta, Rinaldo; Polimeni, Antonio; Capizzi, Mario; S., Rubini; F., Martelli
Hydrogen-mediated nanostructuring of dilute nitride semiconductors
2011 Trotta, Rinaldo; Polimeni, Antonio; Capizzi, Mario
Strain-induced tuning of the emission wavelength of high quality GaAs/AlGaAs quantum dots in the spectral range of the87Rb D2lines
2011 Kumar, S.; Trotta, R.; Zallo, E.; Plumhof, J. D.; Atkinson, P.; Rastelli, A.; Schmidt, O. G.
Fabrication of Site-Controlled Quantum Dots by Spatially Selective Incorporation of Hydrogen in Ga(AsN)/GaAs Heterostructures
2011 Trotta, Rinaldo; Polimeni, Antonio; Faustino, Martelli; Pettinari, Giorgio; Capizzi, Mario; Laura, Felisari; Silvia, Rubini; Marco, Francardi; Annamaria, Gerardino; Peter C. M., Christianen; Jan C., Maan
Titolo | Data di pubblicazione | Autore(i) | File |
---|---|---|---|
Compositional disorder in GaAs1–xNx:H investigated by photoluminescence | 2006 | Felici, Marco; Trotta, Rinaldo; Masia, Francesco; Polimeni, Antonio; Miriametro, Antonio; Capizzi, Mario; P. J., Klar; W., Stolz | |
Investigation of Compositional Disorder in GaAsN:H | 2007 | Felici, Marco; Trotta, R.; Masia, F.; Polimeni, Antonio; Miriametro, A.; Capizzi, M.; Klar, P. J.; Stolz, W. | |
Hydrogen-Induced Nitrogen Passivation in Dilute Nitrides: A Novel Approach to Defect Engineering | 2007 | Trotta, R.; Polimeni, Antonio; Felici, Marco; Pettinari, G.; Capizzi, M.; Frova, A.; Salviati, G.; Lazzarini, L.; Armani, N.; Mariucci, AND L. | |
Electron mass in dilute nitrides and its anomalous dependence on hydrostatic pressure | 2007 | Pettinari, Giorgio; Polimeni, Antonio; Masia, Francesco; Trotta, Rinaldo; Felici, Marco; Capizzi, Mario; T., Niebling; W., Stolz; P. J., Klar | |
Photoreflectance and reflectance investigation of deuterium-irradiated GaAsN | 2007 | M., Geddo; T., Ciabattoni; G., Guizzetti; M., Galli; M., Patrini; Polimeni, Antonio; Trotta, Rinaldo; Capizzi, Mario; G., Bais; M., Piccin; S., Rubini; F., Martelli; A., Franciosi | |
In-Plane Band Gap Engineering by Hydrogenation of Dilute Nitride Semiconductors | 2007 | FELICI, Marco; POLIMENI, Antonio; F., MASIA; TROTTA, RINALDO; PETTINARI, GIORGIO; CAPIZZI, Mario; G., SALVIATI; L., LAZZARINI; N., ARMANI; M., PICCIN; G., BAIS; F., MARTELLI; S., RUBINI; A., FRANCIOSI; L., MARIUCCI | |
Photoluminescence under magnetic field and hydrostatic pressure in GaAs1−xNx for probing the compositional dependence of carrier effective mass and gyromagnetic ratio | 2007 | F., Masia; Pettinari, Giorgio; Polimeni, Antonio; Felici, Marco; Trotta, Rinaldo; Capizzi, Mario; T., Niebling; H., Guenther; P. J., Klar; W., Stolz; A., Lindsay; E. P., O'Reilly; M., Piccin; G., Bais; S., Rubini; F., Martelli; A., Franciosi | |
Effect of hydrogen incorporation temperature in in plane-engineered GaAsN/GaAsN:H heterostructures | 2008 | Trotta, Rinaldo; Polimeni, Antonio; Capizzi, Mario; D., Giubertoni; M., Bersani; G., Bisognin; M., Berti; S., Rubini; F., Martelli; L., Mariucci; M., Francardi; A., Gerardino | |
Photoluminescence under magnetic field and hydrostatic pressure for probing the electronic properties of GaAsN | 2008 | Polimeni, Antonio; G., Pettinari; Trotta, Rinaldo; F., Masia; Felici, Marco; Capizzi, Mario; A., Lindsay; E. P., Oreilly; T., Niebling; W., Stolz; P. J., Klar; F., Martelli; S., Rubini | |
Role of strain and properties of N clusters at the onset of the alloy limit in GaAs1-xNx | 2008 | Polimeni, Antonio; Masia, Francesco; Pettinari, Giorgio; Trotta, Rinaldo; Felici, Marco; Capizzi, Mario; A., Lindsay; E. P., O'Reilly; T., Niebling; W., Stolz; P. J., Klar | |
In-plane band gap modulation investigated by secondary electron imaging of GaAsN/GaAsN:H heterostructures | 2008 | L., Felisari; V., Grillo; F., Martelli; Trotta, Rinaldo; Polimeni, Antonio; Capizzi, Mario; F., Jabeen; L., Mariucci | |
Hydrogen diffusion in GaAs1−xNx | 2009 | Trotta, R.; Giubertoni, D.; Polimeni, Antonio; Bersani, M.; Capizzi, Mario; Martelli, F.; Rubini, S.; Bisognin, G.; Berti, AND M. | |
Light polarization control in strain-engineered GaAsN/GaAsN:H heterostructures | 2009 | Trotta, R.; Polimeni, Antonio; Capizzi, Mario; Martelli, F.; Rubini, S.; Francardi, M.; Gerardino, A.; Mariucci, AND L. | |
Hydrogen-induced defect engineering in dilute nitride semiconductors | 2009 | Trotta, Rinaldo; Polimeni, Antonio; Capizzi, Mario | |
Compositional dependence of the exciton reduced mass in GaAs1-xBix (x=0-10%) | 2010 | Pettinari, Giorgio; Polimeni, Antonio; J. H., Blokland; Trotta, Rinaldo; P. C. M., Christianen; Capizzi, Mario; J. C., Maan; X., Lu; E. C., Young; T., Tiedje | |
Quantum confinement effects in hydrogen-intercalated GaAs1-xNx/GaAsN:H heterostructures investigated by photoluminescence spectroscopy | 2010 | Trotta, Rinaldo; L., Cavigli; L., Felisari; Polimeni, Antonio; A., Vinattieri; M., Gurioli; Capizzi, Mario; F., Martelli; S., Rubini; L., Mariucci; M., Francardi; A., Gerardino | |
Detailed structure of the H-N-H center in GaAsyN1-y revealed by vibrational spectroscopy under uniaxial stress | 2010 | L., Wen; F., Bekisli; M., Stavola; W. B., Fowler; Trotta, Rinaldo; Polimeni, Antonio; Capizzi, Mario; S., Rubini; F., Martelli | |
Hydrogen-mediated nanostructuring of dilute nitride semiconductors | 2011 | Trotta, Rinaldo; Polimeni, Antonio; Capizzi, Mario | |
Strain-induced tuning of the emission wavelength of high quality GaAs/AlGaAs quantum dots in the spectral range of the87Rb D2lines | 2011 | Kumar, S.; Trotta, R.; Zallo, E.; Plumhof, J. D.; Atkinson, P.; Rastelli, A.; Schmidt, O. G. | |
Fabrication of Site-Controlled Quantum Dots by Spatially Selective Incorporation of Hydrogen in Ga(AsN)/GaAs Heterostructures | 2011 | Trotta, Rinaldo; Polimeni, Antonio; Faustino, Martelli; Pettinari, Giorgio; Capizzi, Mario; Laura, Felisari; Silvia, Rubini; Marco, Francardi; Annamaria, Gerardino; Peter C. M., Christianen; Jan C., Maan |
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