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Nitrogen passivation induced by atomic hydrogen: the GaPN case 2003 Polimeni, Antonio; M., Bissiri; Felici, Marco; Capizzi, Mario; I. A., Buyanova; W. M., Chen; H. P., Xin; AND C. W., Tu
Hydrogen related effects in diluted nitrides 2003 Polimeni, Antonio; F., Masia; Felici, Marco; G., BALDASSARRI HGER VON HGERSTHAL; M., Bissiri; Frova, Andrea; Capizzi, Mario; P. J., Klar; W., Stolz; I. A., Buyanova; W. M., Chen; H. P., Xin; C. W., Tu
Effect of lattice ionicity on hydrogen activity in II-VI materials containing isoelectronic oxygen impurities 2004 Felici, Marco; V., Cesari; Polimeni, Antonio; Frova, Andrea; Capizzi, Mario; YONG DAE, Choi; Byungsung, O; YOUNG MOON, Yu; Y., Nabetani; Y., Ito; T., Okuno; T., Kato; T., Matsumoto; T., Hirai; I. K., Sou; W. K., Ge
Direct experimental evidence for unusual effects of hydrogen on the electronic and vibrational properties of GaNxP1-x alloys: A proof for a general property of dilute nitrides 2004 I. A., Buyanova; M., Izadifard; I. G., Ivanov; J., Birch; W. M., Chen; Felici, Marco; Polimeni, Antonio; Capizzi, Mario; Y. G., Hong; H. P., Xin; C. W., Tu
Free carrier and/or exciton trapping by nitrogen pairs in dilute GaP1-xNx 2005 Felici, Marco; Polimeni, Antonio; A., Miriametro; Capizzi, Mario; H. P., Xin; AND C. W., Tu
High Energy Optical Transitions in Ga(PN): Contribution from Perturbed Valence Band 2005 FELICI, Marco; POLIMENI, Antonio; CAPIZZI, Mario; DUDIY S., V; ZUNGER, A; BUYANOVA I., A; CHEN W., M; XIN H., P; AND TU, C. W.
Nitrogen-induced perturbation of the valence band states in Ga P1-x Nx alloys 2006 S. V., Dudiy; A., Zunger; Felici, Marco; Polimeni, Antonio; Capizzi, Mario; H. P., Xin; C. W., Tu
Passivation of an isoelectronic impurity by atomic hydrogen: The case of ZnTe:O 2006 Felici, Marco; Polimeni, Antonio; Capizzi, Mario; Y., Nabetani; T., Okuno; K., Aoki; T., Kato; T., Matsumoto; T., Hirai
Influence of N-cluster states on the gyromagnetic factor of electrons in GaAs1-xNx 2006 Pettinari, Giorgio; Masia, Francesco; Polimeni, Antonio; Felici, Marco; Frova, Andrea; Capizzi, Mario; A., Lindsay; E. P., O'Reilly; P. J., Klar; W., Stolz; G., Bais; M., Piccin; S., Rubini; F., Martelli; A., Franciosi
In-Plane Bandgap Engineering by Modulated Hydrogenation of Dilute Nitride Semiconductors 2006 Felici, Marco; Polimeni, Antonio; G., Salviati; L., Lazzarini; N., Armani; F., Masia; Capizzi, Mario; F., Martelli; M., Lazzarino; G., Bais; M., Piccin; S., Rubini; A., Franciosi
Interaction between conduction band edge and nitrogen states probed by carrier effective mass measurements in GaAs1-xNx 2006 Masia, Francesco; Pettinari, Giorgio; Polimeni, Antonio; Felici, Marco; Miriametro, Antonio; Capizzi, Mario; Lindsay, A.; Healy, S. B.; O’Reilly, E. P.; Cristofoli, A.; Bais, G.; Piccin, M.; Rubini, S.; Martelli, F.; Franciosi, A.; Klar, P. J.; Volz, K.; Stolz, W.
Hydrogen-nitrogen complexes in dilute nitride alloys: Origin of the compressive lattice strain 2006 G., Bisognin; D., DE SALVADOR; A. V., Drigo; E., Napolitani; A., Sambo; M., Berti; Polimeni, Antonio; Felici, Marco; Capizzi, Mario; M., Güngerich; P. J., Klar; G., Bais; F., Jabeen; M., Piccin; S., Rubini; F., Martelli; A., Franciosi
Compositional disorder in GaAs1–xNx:H investigated by photoluminescence 2006 Felici, Marco; Trotta, Rinaldo; Masia, Francesco; Polimeni, Antonio; Miriametro, Antonio; Capizzi, Mario; P. J., Klar; W., Stolz
Influence of the Host Lattice on the O-H Interaction in II-VI Semiconductors 2007 Felici, Marco; Polimeni, Antonio; A., Scordo; F., Masia; A., Frova; M., Capizzi; Y., Nabetani; T., Okuno; K., Aoki; T., Kato; T., Matsumoto; T., Hirai
Investigation of Compositional Disorder in GaAsN:H 2007 Felici, Marco; Trotta, R.; Masia, F.; Polimeni, Antonio; Miriametro, A.; Capizzi, M.; Klar, P. J.; Stolz, W.
Hydrogen-Induced Nitrogen Passivation in Dilute Nitrides: A Novel Approach to Defect Engineering 2007 Trotta, R.; Polimeni, Antonio; Felici, Marco; Pettinari, G.; Capizzi, M.; Frova, A.; Salviati, G.; Lazzarini, L.; Armani, N.; Mariucci, AND L.
Electron mass in dilute nitrides and its anomalous dependence on hydrostatic pressure 2007 Pettinari, Giorgio; Polimeni, Antonio; Masia, Francesco; Trotta, Rinaldo; Felici, Marco; Capizzi, Mario; T., Niebling; W., Stolz; P. J., Klar
In-Plane Band Gap Engineering by Hydrogenation of Dilute Nitride Semiconductors 2007 FELICI, Marco; POLIMENI, Antonio; F., MASIA; TROTTA, RINALDO; PETTINARI, GIORGIO; CAPIZZI, Mario; G., SALVIATI; L., LAZZARINI; N., ARMANI; M., PICCIN; G., BAIS; F., MARTELLI; S., RUBINI; A., FRANCIOSI; L., MARIUCCI
Photoluminescence under magnetic field and hydrostatic pressure in GaAs1−xNx for probing the compositional dependence of carrier effective mass and gyromagnetic ratio 2007 F., Masia; Pettinari, Giorgio; Polimeni, Antonio; Felici, Marco; Trotta, Rinaldo; Capizzi, Mario; T., Niebling; H., Guenther; P. J., Klar; W., Stolz; A., Lindsay; E. P., O'Reilly; M., Piccin; G., Bais; S., Rubini; F., Martelli; A., Franciosi
X-ray absorption and diffraction study of II-VI dilute oxide semiconductor alloy epilayers 2007 F., Boscherini; M., Malvestuto; G., Ciatto; F., Dacapito; G., Bisognin; D., DE SALVADOR; M., Berti; Felici, Marco; Polimeni, Antonio; Y., Nabetani
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